Número do Produto do Fabricante:
STY139N65M5
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STY139N65M5-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 130A MAX247
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 130A (Tc) 625W (Tc) Through Hole MAX247™
Inventário:
12876994
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STY139N65M5 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tube
Série
MDmesh™ V
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 65A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
363 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15600 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
625W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
MAX247™
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
STY139
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-13043-5
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPW65R019C7FKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1042
NÚMERO DA PEÇA
IPW65R019C7FKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
13.43
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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