Número do Produto do Fabricante:
STW8NB100
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STW8NB100-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 7.3A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 7.3A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventário:
12877246
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STW8NB100 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
-
Série
PowerMESH™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.45Ohm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
190W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
STW8N
Informação Adicional
Outros nomes
497-2646-5
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FQH8N100C
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
FQH8N100C-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.32
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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