Número do Produto do Fabricante:
STW65N023M9-4
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STW65N023M9-4-DG
Descrição:
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 95A (Tc) 463W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventário:
66 Pcs Novo Original Em Estoque
13005836
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STW65N023M9-4 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
95A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 48A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8844 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
463W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4
Pacote / Estojo
TO-247-4
Número do produto base
STW65
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-STW65N023M9-4
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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