Número do Produto do Fabricante:
STW58N65DM2AG
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STW58N65DM2AG-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 48A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventário:
12870895
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STW58N65DM2AG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tube
Série
MDmesh™ DM2
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4100 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
360W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
STW58
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-16137-5
-1138-STW58N65DM2AG
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK39N60X,S1F
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
30
NÚMERO DA PEÇA
TK39N60X,S1F-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.43
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PREÇO UNITÁRIO
6.56
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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