Número do Produto do Fabricante:
STW50N65DM6
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STW50N65DM6-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 33A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Inventário:
12972876
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STW50N65DM6 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tube
Série
MDmesh™ DM6
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
91mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.75V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
52.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
52500 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247 Long Leads
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
STW50
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-STW50N65DM6
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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