Número do Produto do Fabricante:
STW18NM60N
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STW18NM60N-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventário:
547 Pcs Novo Original Em Estoque
12872751
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STW18NM60N Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tube
Série
MDmesh™ II
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
285mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
STW18
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-10997-5-DG
-497-10997-5
497-STW18NM60N
STW18NM60N-DG
497-10997-5
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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