Número do Produto do Fabricante:
STU9HN65M2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STU9HN65M2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventário:
2373 Pcs Novo Original Em Estoque
12879444
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STU9HN65M2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tube
Série
MDmesh™ M2
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
820mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
325 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251 (IPAK)
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
STU9H
Informação Adicional
Outros nomes
497-16026-5
-497-16026-5
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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