Número do Produto do Fabricante:
STQ2LN60K3-AP
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STQ2LN60K3-AP-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 600mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventário:
7300 Pcs Novo Original Em Estoque
12873757
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STQ2LN60K3-AP Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tape & Box (TB)
Série
SuperMESH3™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
600mA (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 50µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
235 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-92-3
Pacote / Estojo
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Número do produto base
STQ2LN60
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-STQ2LN60K3-APTB
497-13391-1-DG
497-STQ2LN60K3-APCT
497-13391-3-DG
497-13391-1
497-13391-3
STQ2LN60K3AP
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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