Número do Produto do Fabricante:
STP9NK80Z
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STP9NK80Z-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 7.5A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 7.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
12878932
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STP9NK80Z Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
-
Série
SuperMESH™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1900 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
STP9N
Informação Adicional
Outros nomes
497-5133-5
-497-5133-5
1805-STP9NK80Z
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRFB9N65APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
912
NÚMERO DA PEÇA
IRFB9N65APBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.19
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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