Número do Produto do Fabricante:
STP9NK65Z
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STP9NK65Z-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 6.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
12870519
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STP9NK65Z Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tube
Série
SuperMESH™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1145 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
STP9NK65
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRFB9N65APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
912
NÚMERO DA PEÇA
IRFB9N65APBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.19
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
FCP4N60
FABRICANTE
Fairchild Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1335
NÚMERO DA PEÇA
FCP4N60-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.02
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
IXFP10N80P
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
242
NÚMERO DA PEÇA
IXFP10N80P-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.72
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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