Número do Produto do Fabricante:
STP65N045M9
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STP65N045M9-DG
Descrição:
N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 55A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
12978610
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STP65N045M9 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4610 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
245W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
STP65N
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-STP65N045M9
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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