Número do Produto do Fabricante:
STP50NE10
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STP50NE10-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
12945666
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STP50NE10 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
-
Série
STripFET™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
166 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6000 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
STP50N
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-2644-5
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRF3710ZPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1894
NÚMERO DA PEÇA
IRF3710ZPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.60
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
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FABRICANTE
NXP Semiconductors
QUANTIDADE DISPONÍVEL
4909
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PREÇO UNITÁRIO
0.98
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
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PREÇO UNITÁRIO
0.64
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PREÇO UNITÁRIO
1.00
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
829
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PREÇO UNITÁRIO
0.42
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