Número do Produto do Fabricante:
STP30NM30N
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STP30NM30N-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 300V 30A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 300 V 30A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
12873916
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STP30NM30N Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
-
Série
MDmesh™ II
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
300 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2500 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
160W (Tc)
Temperatura de operação
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
STP30N
Informação Adicional
Outros nomes
STP30NM30N-DG
497-7521-5
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXTP36N30P
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
793
NÚMERO DA PEÇA
IXTP36N30P-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.19
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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