Número do Produto do Fabricante:
STP15NM65N
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STP15NM65N-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
12877846
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STP15NM65N Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
-
Série
MDmesh™ II
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
33.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
983 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
STP15N
Informação Adicional
Outros nomes
497-11871-5
-497-11871-5
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STP16N65M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
STP16N65M2-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.01
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
FCP11N60
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
739
NÚMERO DA PEÇA
FCP11N60-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.27
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
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PREÇO UNITÁRIO
1.13
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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