Número do Produto do Fabricante:
STP10NM65N
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STP10NM65N-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
12872117
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STP10NM65N Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
-
Série
MDmesh™ II
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
850 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
90W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
STP10
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
STP10NM65N-DG
497-7499-5
-497-7499-5
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXTP14N60P
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
230
NÚMERO DA PEÇA
IXTP14N60P-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.05
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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