Número do Produto do Fabricante:
STN1N20
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STN1N20-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 1A (Tc) 2.9W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventário:
12872390
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STN1N20 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
-
Série
MESH OVERLAY™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
206 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.9W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-223
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Número do produto base
STN1N
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-3176-6
497-3176-1
497-3176-2
-497-3176-2
497-3176-1-NDR
-497-3176-1
497-3176-2-NDR
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRFL210TRPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
6353
NÚMERO DA PEÇA
IRFL210TRPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.29
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
BSP122,115
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2744
NÚMERO DA PEÇA
BSP122,115-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.15
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
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BSP297H6327XTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
7629
NÚMERO DA PEÇA
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PREÇO UNITÁRIO
0.30
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
ZVNL120GTA
FABRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTIDADE DISPONÍVEL
6214
NÚMERO DA PEÇA
ZVNL120GTA-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.29
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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