Número do Produto do Fabricante:
STI4N62K3
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STI4N62K3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 620 V 3.8A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventário:
12875262
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STI4N62K3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tube
Série
SuperMESH3™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
620 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 50µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
550 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
70W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I2PAK
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
STI4N62
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-12262
-497-12262
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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