Número do Produto do Fabricante:
STH80N10LF7-2AG
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STH80N10LF7-2AG-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventário:
12946006
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STH80N10LF7-2AG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
STripFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 40A, 10V
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
28.3 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
H2PAK-2
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
STH80
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
RSJ650N10TL
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
970
NÚMERO DA PEÇA
RSJ650N10TL-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.94
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
HUF75545S3ST
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
6270
NÚMERO DA PEÇA
HUF75545S3ST-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.50
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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