Número do Produto do Fabricante:
STH315N10F7-2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STH315N10F7-2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventário:
880 Pcs Novo Original Em Estoque
12878823
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STH315N10F7-2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
DeepGATE™, STripFET™ VII
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12800 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
315W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
H2PAK-2
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
STH315
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-14718
497-14718-1
497-14718-2
497-14718-6
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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