Número do Produto do Fabricante:
STH185N10F3-6
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STH185N10F3-6-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Inventário:
12879305
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STH185N10F3-6 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
STripFET™ F3
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
114.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6665 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
315W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
H2PAK-6
Pacote / Estojo
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número do produto base
STH185
Informação Adicional
Outros nomes
497-15469-2
497-15469-1
-497-15469-1
-497-15469-2
-497-15469-6
497-15469-6
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPB017N10N5LFATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
9941
NÚMERO DA PEÇA
IPB017N10N5LFATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
4.25
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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