Número do Produto do Fabricante:
STH170N8F7-2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STH170N8F7-2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK-2
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventário:
264 Pcs Novo Original Em Estoque
12878860
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
STH170N8F7-2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
STripFET™ F7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8710 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
H2PAK-2
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
STH170
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-16002-6
STH170N8F7-2-DG
-497-16002-2
-497-16002-1
-497-16002-6
497-16002-2
497-16002-1
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
STB76NF80
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
STP4N90K5
MOSFET N-CH 900V 3A TO220
STWA40N95K5
MOSFET N-CH 950V 38A TO247-3
