Número do Produto do Fabricante:
STH150N10F7-2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STH150N10F7-2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventário:
1000 Pcs Novo Original Em Estoque
12874476
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ENVIAR
STH150N10F7-2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
DeepGATE™, STripFET™ VII
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8115 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
H2PAK-2
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
STH150
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-14979-1
-497-14979-6
497-14979-2
497-14979-6
-497-14979-2
-497-14979-1
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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