Número do Produto do Fabricante:
STFI11N65M2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STFI11N65M2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Inventário:
12880358
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STFI11N65M2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
-
Série
MDmesh™ II Plus
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
670mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
410 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-281 (I2PAKFP)
Pacote / Estojo
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Número do produto base
STFI11N
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-15038-5
-497-15038-5
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STF11N65M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
27
NÚMERO DA PEÇA
STF11N65M2-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.71
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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