Número do Produto do Fabricante:
STF27N60M2-EP
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STF27N60M2-EP-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventário:
1000 Pcs Novo Original Em Estoque
12878653
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STF27N60M2-EP Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tube
Série
MDmesh™ M2-EP
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
163mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.75V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1320 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
30W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220FP
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
STF27
Folha de Dados & Documentos
Recursos de design
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-16487-5-DG
497-STF27N60M2-EP
-1138-STF27N60M2-EP
497-16487-5
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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