STE139N65M5
Número do Produto do Fabricante:

STE139N65M5

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Número da Peça:

STE139N65M5-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 650V 130A ISOTOP
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 130A (Tc) 672W (Tc) Chassis Mount ISOTOP

Inventário:

12880648
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STE139N65M5 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
-
Série
MDmesh™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 65A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
363 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15600 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
672W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
ISOTOP
Pacote / Estojo
ISOTOP
Número do produto base
STE1

Informação Adicional

Outros nomes
497-16942
Pacote padrão
100

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
IXFN150N65X2
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1049
NÚMERO DA PEÇA
IXFN150N65X2-DG
PREÇO UNITÁRIO
39.34
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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