STD2NK60Z-1
Número do Produto do Fabricante:

STD2NK60Z-1

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Número da Peça:

STD2NK60Z-1-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventário:

3521 Pcs Novo Original Em Estoque
12879068
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STD2NK60Z-1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tube
Série
SuperMESH™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 50µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
170 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
45W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I-PAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
STD2N

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
STD2NK60Z-1-DG
-497-12555-5
497-12555-5
Pacote padrão
75

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
IRFU1N60APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1927
NÚMERO DA PEÇA
IRFU1N60APBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.51
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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