Número do Produto do Fabricante:
STD16N65M2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STD16N65M2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventário:
13 Pcs Novo Original Em Estoque
12945683
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STD16N65M2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
MDmesh™ M2
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
19.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
718 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
STD16
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-15258-1
497-15258-2
497-15258-6
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SIHD14N60E-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1269
NÚMERO DA PEÇA
SIHD14N60E-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.86
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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