Número do Produto do Fabricante:
STB8NM60T4
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STB8NM60T4-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventário:
12875810
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STB8NM60T4 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
MDmesh™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
400 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
STB8NM60
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-5386-1
STB8NM60T4-DG
497-5386-2
497-5386-6
1026-STB8NM60T4
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
R6004KNJTL
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
R6004KNJTL-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.81
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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