Número do Produto do Fabricante:
STB7NK80Z-1
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STB7NK80Z-1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventário:
12875838
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STB7NK80Z-1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tube
Série
SuperMESH™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1138 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I2PAK
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
STB7NK80
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
STB7NK80Z-1-DG
497-12539-5
-497-12539-5
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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