Número do Produto do Fabricante:
STB45N65M5
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STB45N65M5-DG
Descrição:
MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
301 Pcs Novo Original Em Estoque
12875872
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STB45N65M5 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
MDmesh™ V
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
78mOhm @ 19.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3375 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
210W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
STB45
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-12940-6
497-12940-2
497-12940-1
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPB60R099CPATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1212
NÚMERO DA PEÇA
IPB60R099CPATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.99
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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