Número do Produto do Fabricante:
STB35N65M5
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STB35N65M5-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 27A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventário:
12874968
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STB35N65M5 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
MDmesh™ V
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
98mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3750 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
160W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
STB35
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-10565-6
-497-10565-6
497-10565-2
497-10565-1
-497-10565-2
-497-10565-1
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SIHB33N60EF-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
758
NÚMERO DA PEÇA
SIHB33N60EF-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.33
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FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
700
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PREÇO UNITÁRIO
4.17
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
2357
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PREÇO UNITÁRIO
2.54
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
1212
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PREÇO UNITÁRIO
3.99
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PREÇO UNITÁRIO
2.99
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