Número do Produto do Fabricante:
STB30NM60N
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STB30NM60N-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventário:
12872889
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STB30NM60N Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
MDmesh™ II
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2700 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
190W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
STB30N
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-8474-6
497-8474-1
497-8474-2
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STB32N65M5
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1000
NÚMERO DA PEÇA
STB32N65M5-DG
PREÇO UNITÁRIO
5.37
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
IPB60R125CPATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1762
NÚMERO DA PEÇA
IPB60R125CPATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.04
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
Certificação DIGI
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