Número do Produto do Fabricante:
STB26N60M2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STB26N60M2-DG
Descrição:
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 169W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventário:
12878635
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STB26N60M2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
MDmesh™ M2
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1360 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
169W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
STB26
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-17546-6
497-17546-1
497-17546-2
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPB60R160C6ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3347
NÚMERO DA PEÇA
IPB60R160C6ATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.71
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
IPB60R180P7ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2501
NÚMERO DA PEÇA
IPB60R180P7ATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.88
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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