Número do Produto do Fabricante:
STB25NM60N-1
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STB25NM60N-1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventário:
12877561
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STB25NM60N-1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
-
Série
MDmesh™ II
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2400 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
160W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I2PAK
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-5730
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK20G60W,RVQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
TK20G60W,RVQ-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.14
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
250
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PREÇO UNITÁRIO
2.56
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
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PREÇO UNITÁRIO
1.63
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