Número do Produto do Fabricante:
SGT120R65AL
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
SGT120R65AL-DG
Descrição:
650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
Inventário:
12 Pcs Novo Original Em Estoque
12995342
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SGT120R65AL Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 5A, 6V
vgs(th) (máx) @ id
2.6V @ 12mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
3 nC @ 6 V
Vgs (máx.)
+6V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
125 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
192W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerFlat™ (5x6) HV
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
SGT120
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
497-SGT120R65ALTR
497-SGT120R65ALCT
497-SGT120R65ALDKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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