Número do Produto do Fabricante:
SCTW40N120G2V
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
SCTW40N120G2V-DG
Descrição:
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 278W (Tc) Through Hole HiP247™
Inventário:
12950523
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SCTW40N120G2V Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
4.9V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1233 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
278W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
HiP247™
Pacote / Estojo
TO-247-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-SCTW40N120G2V
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
MSC080SMA120B
FABRICANTE
Microchip Technology
QUANTIDADE DISPONÍVEL
143
NÚMERO DA PEÇA
MSC080SMA120B-DG
PREÇO UNITÁRIO
8.97
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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