Número do Produto do Fabricante:
SCTH35N65G2V-7AG
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
SCTH35N65G2V-7AG-DG
Descrição:
SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventário:
12929484
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SCTH35N65G2V-7AG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1370 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
H2PAK-7
Pacote / Estojo
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número do produto base
SCTH35
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
-1138-SCTH35N65G2V-7AGDKR
-1138-SCTH35N65G2V-7AGCT
497-SCTH35N65G2V-7AGCT
497-SCTH35N65G2V-7AGTR
497-SCTH35N65G2V-7AGDKR
-1138-SCTH35N65G2V-7AGTR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SCTH35N65G2V-7
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
818
NÚMERO DA PEÇA
SCTH35N65G2V-7-DG
PREÇO UNITÁRIO
9.17
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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