MJD122-1
Número do Produto do Fabricante:

MJD122-1

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Número da Peça:

MJD122-1-DG

Descrição:

TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 20 W Through Hole TO-251 (IPAK)

Inventário:

2794 Pcs Novo Original Em Estoque
12876706
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MJD122-1 Especificações Técnicas

Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN - Darlington
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
8 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
100 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
4V @ 80mA, 8A
Corrente - Corte do coletor (máx.)
10µA
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 4A, 4V
Potência - Máx.
20 W
Frequência - Transição
-
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251 (IPAK)
Número do produto base
MJD122

Informação Adicional

Outros nomes
MJD122-1-DG
497-16183
Pacote padrão
75

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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