2N6660
Número do Produto do Fabricante:

2N6660

Product Overview

Fabricante:

Solid State Inc.

DiGi Electronics Número da Peça:

2N6660-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 1.1A (Tc) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39

Inventário:

3575 Pcs Novo Original Em Estoque
12974056
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2N6660 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Manufacturers
Embalagem
Box
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 1mA
Vgs (máx.)
±40V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
6.25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-39
Pacote / Estojo
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
2383-2N6660
Pacote padrão
10

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Certificação DIGI
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