Número do Produto do Fabricante:
S2M0040120K
Product Overview
Fabricante:
SMC Diode Solutions
DiGi Electronics Número da Peça:
S2M0040120K-DG
Descrição:
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V Through Hole TO-247-4
Inventário:
113 Pcs Novo Original Em Estoque
12989246
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S2M0040120K Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
SMC Diode Solutions
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
-
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (máx) @ id
-
Vgs (máx.)
-
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
-
Temperatura de operação
-
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4
Pacote / Estojo
TO-247-4
Informação Adicional
Outros nomes
-1765-S2M0040120K
1655-S2M0040120K
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Certificação DIGI
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