Número do Produto do Fabricante:
2SC3599E
Product Overview
Fabricante:
Sanyo
DiGi Electronics Número da Peça:
2SC3599E-DG
Descrição:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 300 mA 500MHz 1.2 W Through Hole TO-126
Inventário:
4405 Pcs Novo Original Em Estoque
12941634
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2SC3599E Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
300 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
120 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 7mA, 70mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100nA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
Potência - Máx.
1.2 W
Frequência - Transição
500MHz
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-225AA, TO-126-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-126
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
ONSSNY2SC3599E
2156-2SC3599E
Pacote padrão
460
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
Not applicable
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificação DIGI
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