Número do Produto do Fabricante:
2SK4161D
Product Overview
Fabricante:
Sanken Electric USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
2SK4161D-DG
Descrição:
MOS FET 60V/100A/0.0038
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventário:
12993925
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
2SK4161D Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Sanken Electric Co., Ltd.
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
155mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10000 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
132W (Tc)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
2SK4161
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
1261-2SK4161D
Pacote padrão
1,020
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
RD3P03BBHTL1
NCH 100V 35A, TO-252, POWER MOSF
FKV660S
MOSFET 60V/60A/0.011
RX3P07BBHC16
NCH 100V 70A, TO-220AB, POWER MO
