Número do Produto do Fabricante:
VT6J1T2CR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
VT6J1T2CR-DG
Descrição:
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6
Inventário:
13525132
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VT6J1T2CR Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Last Time Buy
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15pF @ 10V
Potência - Máx.
120mW
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
6-SMD, Flat Leads
Pacote de dispositivos do fornecedor
VMT6
Número do produto base
VT6J1
Folha de Dados & Documentos
Recursos de design
Documentos de confiabilidade
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
VT6J1T2CRCT
VT6J1T2CRDKR
VT6J1T2CRTR
Pacote padrão
8,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
EM6J1T2R
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
12037
NÚMERO DA PEÇA
EM6J1T2R-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.11
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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