Número do Produto do Fabricante:
TT8J11TCR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
TT8J11TCR-DG
Descrição:
MOSFET 2P-CH 12V 3.5A 8TSST
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 12V 3.5A 650mW Surface Mount 8-TSST
Inventário:
2859 Pcs Novo Original Em Estoque
13525381
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TT8J11TCR Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Not For New Designs
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2600pF @ 6V
Potência - Máx.
650mW
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SMD, Flat Lead
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-TSST
Número do produto base
TT8J11
Folha de Dados & Documentos
Recursos de design
Folhas de dados
Documentos de confiabilidade
Informação Adicional
Outros nomes
TT8J11TCRCT
TT8J11TCRDKR
TT8J11TCRTR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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