Número do Produto do Fabricante:
SCT3105KLGC11
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
SCT3105KLGC11-DG
Descrição:
SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 24A (Tc) 134W Through Hole TO-247N
Inventário:
151 Pcs Novo Original Em Estoque
13527503
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SCT3105KLGC11 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
137mOhm @ 7.6A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
5.6V @ 3.81mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
574 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
134W
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247N
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
SCT3105
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
QS6U24TR
MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
R6012ANX
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
SCT2450KEC
SICFET N-CH 1200V 10A TO247
