Número do Produto do Fabricante:
SCT2H12NZGC11
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
SCT2H12NZGC11-DG
Descrição:
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
Descrição Detalhada:
N-Channel 1700 V 3.7A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-3PFM
Inventário:
2461 Pcs Novo Original Em Estoque
13526754
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SCT2H12NZGC11 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1700 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.1A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 900µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
184 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3PFM
Pacote / Estojo
TO-3PFM, SC-93-3
Número do produto base
SCT2H12
Folha de Dados & Documentos
Recursos de design
Documentos de confiabilidade
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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