Número do Produto do Fabricante:
SCT2280KEGC11
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
SCT2280KEGC11-DG
Descrição:
1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 14A (Tc) 108W (Tc) Through Hole TO-247N
Inventário:
2220 Pcs Novo Original Em Estoque
12973540
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SCT2280KEGC11 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
364mOhm @ 4A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1.4mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
667 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
108W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247N
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
SCT2280
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-SCT2280KEGC11
Pacote padrão
450
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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