Número do Produto do Fabricante:
SCT2080KEGC11
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
SCT2080KEGC11-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1200V 40A TO247N
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247N
Inventário:
170 Pcs Novo Original Em Estoque
12996835
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SCT2080KEGC11 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
117mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 4.4mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2080 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
262W (Tc)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247N
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
SCT2080
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-SCT2080KEGC11
Pacote padrão
450
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
MTSF2P03HDR2
MTSF2P03 - TRANS MOSFET P-CH 30V
MCG65N03-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN3333
MCG30N10Y-TP
MOSFET N-CH DFN3333
