Número do Produto do Fabricante:
RX3G07BBGC16
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
RX3G07BBGC16-DG
Descrição:
NCH 40V 70A, TO-220AB, POWER MO
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 70A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
988 Pcs Novo Original Em Estoque
12998209
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RX3G07BBGC16 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3540 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
89W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
RX3G07
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-RX3G07BBGC16
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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