Número do Produto do Fabricante:
RT1C060UNTR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
RT1C060UNTR-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 6A 8TSST
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 6A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Inventário:
13525411
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RT1C060UNTR Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
870 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
650mW (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-TSST
Pacote / Estojo
8-SMD, Flat Lead
Número do produto base
RT1C060
Informação Adicional
Outros nomes
RT1C060UNDKR
RT1C060UNTRCT
RT1C060UNTRTR-ND
RT1C060UNTRTR
RT1C060UNTRCT-ND
RT1C060UNTRDKR
RT1C060UNTRDKR-ND
RT1C060UNCT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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